详情

ATPAK封装采用夹焊技术提升散热性

随着封装尺寸变得更小，器件内的温度往往增高，因为它变得更难于导出多余热量。而散热性对总能效、安全及系统可靠性至关重要。ATPAK封装采用夹焊技术，可将热阻抗及总导通电阻降至低，比采用传统的金属线粘结的DPAK封装大大提升电流处理能力。热阻抗是指1 W热量所引起的温升大小，单位为℃/W。热阻抗越低，散热性越好。经选用相同规格的ATPAK和 DPAK 器件进行测试和对比，结果显示即使无散热片时的热阻抗相同，在采用散热片后 ATPAK 比 DPAK 的热阻抗低 6℃/W。具体测试详情
传统的金属线粘结使用金、铜或铝来连接封装中硅芯片的每个电极。然而，由于每种线都相对较薄，这从根本上限制了电流处理。通过增添更多并联的导线可减少这限制，但这将影响整体成本，且可并联邦定的导线数量有实际限制。由于汽车功率MOSFET在高温环境下执行大电流驱动控制，低导通阻抗是汽车方案的一项关键性能因数。对于低导通电阻的MOSFET，导线电阻可代表封装中相当大的总阻抗。尤其在要求导通阻抗低于20 mΩ的应用中，导线的阻抗不能忽略。

夹焊技术使用铜夹直接连接每个电极，可大幅降低漏-源极路径电气阻抗，从而降低导通阻抗，并实现更好的热传导。测试结果显示，夹焊比铝线粘结降低30%的导通阻抗，比金线粘结降低达90%的导通阻抗。而且夹焊技术使用宽横截面积的铜板，大大提高了电流处理能力，消除传统工艺中高电流可熔断导线的问题。

ATPAK电流处理能力高达100 A，这也是D2PAK能达到的大电流处理能力。而且，ATPAK的成本几乎与DPAK一样。因此，在设计中采用ATPAK替代D2PAK，既可减小50%的封装尺寸，又可实现相同的性能，达到节省空间和提升功率处理能力的双重目的，还不增加成本。

ATPAK P沟道功率MOSFET的优势

经与竞争对手的P沟道MOSFET相比，安森美半导体的ATPAK P沟道MOSFET提供更小的尺寸、更低的导通阻抗、更高的电流处理能力和更出色的抗雪崩能力。抗雪崩能力指的是电感中存储的能量放电到功率MOSFET中时的易受影响程度。此外，静电放电(ESD)总是封装及实际使用要克服的挑战，汽车应用环境中可能会出现ESD，原因是机械摩擦，此外，干燥的空气往往也会增加静电放电。ESD可能会导致机械故障。所以安森美半导体的ATPAK P沟道功率MOSFET嵌入保护二极管以增强ESD强固性。

相比N沟道MOSFET需要电荷泵以降低导通阻抗，P沟道方案无需电荷泵，以更少的元件提供更简单和更可靠的驱动。

安森美半导体的P沟道汽车MOSFET产品阵容

安森美半导体提供宽广的P沟道MOSFET产品系列以满足各种不同的汽车应用需求，采用ATPAK封装的P沟道MOSFET由于低导通电阻和的散热性，可用于达65 W的应用。设计人员可根据具体设计需求选择适合的MOSFET。